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半導體板塊熱潮涌動 中國超高純金屬崛起!

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9 月 12 日,半導體板塊強勢拉升,芯原股份漲超 10% 創歷史新高,市場對超高純金屬材料的關注度持續飆升。隨著3nm芯片走向量產,半導體行業正迎來一場無聲卻深刻的材料革命。芯片制造對金屬純度的要求已逼近物理極限——以銅為例,7N級(99.99999%)超高純銅成為剛需,電阻率大幅降低,電流承載能力顯著提升,在這場以“原子級精度”為目標的競爭中,中國力量正悄然重構全球供應鏈格局。

9 月 12 日,半導體板塊強勢拉升,芯原股份漲超 10% 創歷史新高,市場對超高純金屬材料的關注度持續飆升。隨著3nm芯片走向量產,半導體行業正迎來一場無聲卻深刻的材料革命。芯片制造對金屬純度的要求已逼近物理極限——以為例,7N級(99.99999%)超高純銅成為剛需,電阻率大幅降低,電流承載能力顯著提升,在這場以“原子級精度”為目標的競爭中,中國力量正悄然重構全球供應鏈格局。

超高純金屬:從依賴進口到國產突破
在芯片制造的關鍵環節,金屬純度直接影響性能與良率。3nm制程中,7N高純銅通過原子級沉積形成微電路,使電阻降低30%,電流密度突破5×10? A/cm²。而封裝環節的“單晶納米銅”技術也實現國產突破,晶粒尺寸控制在50納米以內,焊接強度提升40%,打破海外長期壟斷。目前,江豐電子、有研新材等企業已實現5N級以上靶材量產,安集科技在拋光液、鼎龍股份在拋光墊領域不斷擠壓陶氏、Cabot等國際巨頭的市場份額。中國不僅是全球最大半導體消費市場,更逐漸成為高端材料的供應極。

小金屬:戰略價值與資源博弈并存
鈷、鉭、銦等小金屬在7nm以下制程中扮演關鍵角色。鈷替代傳統銅鎢合金,使芯片傳輸速度提升15%;鉭作為阻擋層材料,雜質需控制于ppb級,直接影響先進制程良率。銦的需求爆發尤為顯著。除ITO靶材外,在異質結電池(HJT)和800G光模塊推動下,2035年全球銦需求或達8000噸,較當前增長15倍。中國作為銦、鍺主產國,通過出口管制與回收技術提升雙向發力,逐步掌握資源話語權。

技術創新驅動國產替代提速
納米金屬材料不斷突破性能邊界。國內企業如復朗施已實現3納米級金屬顆粒量產,成本降低40%;博威合金開發的高導熱銅合金應用于英偉達H100芯片散熱,氧化鎵單晶成本降至日本同類產品的50%。與此同時,循環經濟戰略加速推進。中國從礦渣中提取高純鎵,年產能已達500噸,而歐美也在積極布局電子廢棄物回收,目標2030年實現鎵、銦回收率超70%。

從追趕走向引領
中國半導體材料行業已進入從“國產替代”到“技術輸出”的轉折點。在濕電子化學品、靶材、拋光材料等多個細分領域,國產化率持續提升,部分產品純度達到PPT級別,8英寸氧化鎵單晶等技術實現全球首發。

結語
半導體金屬材料已從“制造耗材”升級為“戰略資源”,在定義未來科技格局中占據核心地位。隨著中國在超高純提煉、納米結構設計、循環利用等關鍵技術上的突破,全球供應鏈正迎來新一輪權力重構。誰掌握材料,誰就掌握未來——這場無聲的競賽,才剛剛開始。

(注:本文為原創分析,核心觀點基于公開信息及市場推導,以上觀點僅供參考,不做為入市依據 )長江有色金屬網

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