9 月 12 日，半導體板塊強勢拉升，芯原股份漲超 10% 創歷史新高，市場對超高純金屬材料的關注度持續飆升。隨著3nm芯片走向量產，半導體行業正迎來一場無聲卻深刻的材料革命。芯片制造對金屬純度的要求已逼近物理極限——以銅為例，7N級（99.99999%）超高純銅成為剛需，電阻率大幅降低，電流承載能力顯著提升，在這場以“原子級精度”為目標的競爭中，中國力量正悄然重構全球供應鏈格局。
超高純金屬：從依賴進口到國產突破
在芯片制造的關鍵環節，金屬純度直接影響性能與良率。3nm制程中，7N高純銅通過原子級沉積形成微電路，使電阻降低30%，電流密度突破5×10? A/cm²。而封裝環節的“單晶納米銅”技術也實現國產突破，晶粒尺寸控制在50納米以內，焊接強度提升40%，打破海外長期壟斷。目前，江豐電子、有研新材等企業已實現5N級以上靶材量產，安集科技在拋光液、鼎龍股份在拋光墊領域不斷擠壓陶氏、Cabot等國際巨頭的市場份額。中國不僅是全球最大半導體消費市場，更逐漸成為高端材料的供應極。
小金屬：戰略價值與資源博弈并存
鈷、鉭、銦等小金屬在7nm以下制程中扮演關鍵角色。鈷替代傳統銅鎢合金，使芯片傳輸速度提升15%；鉭作為阻擋層材料，雜質需控制于ppb級，直接影響先進制程良率。銦的需求爆發尤為顯著。除ITO靶材外，在異質結電池（HJT）和800G光模塊推動下，2035年全球銦需求或達8000噸，較當前增長15倍。中國作為銦、鍺主產國，通過出口管制與回收技術提升雙向發力，逐步掌握資源話語權。
技術創新驅動國產替代提速
納米金屬材料不斷突破性能邊界。國內企業如復朗施已實現3納米級金屬顆粒量產，成本降低40%；博威合金開發的高導熱銅合金應用于英偉達H100芯片散熱，氧化鎵單晶成本降至日本同類產品的50%。與此同時，循環經濟戰略加速推進。中國從礦渣中提取高純鎵，年產能已達500噸，而歐美也在積極布局電子廢棄物回收，目標2030年實現鎵、銦回收率超70%。
從追趕走向引領
中國半導體材料行業已進入從“國產替代”到“技術輸出”的轉折點。在濕電子化學品、靶材、拋光材料等多個細分領域，國產化率持續提升，部分產品純度達到PPT級別，8英寸氧化鎵單晶等技術實現全球首發。
結語
半導體金屬材料已從“制造耗材”升級為“戰略資源”，在定義未來科技格局中占據核心地位。隨著中國在超高純提煉、納米結構設計、循環利用等關鍵技術上的突破，全球供應鏈正迎來新一輪權力重構。誰掌握材料，誰就掌握未來——這場無聲的競賽，才剛剛開始。
（注：本文為原創分析，核心觀點基于公開信息及市場推導，以上觀點僅供參考，不做為入市依據 ）長江有色金屬網
