2025年8月19日，九峰山實驗室宣布成功開發6英寸磷化銦（InP）基PIN結構探測器和FP結構激光器的外延生長工藝，關鍵性能指標達到國際領先水平。這一成果不僅填補了國內大尺寸磷化銦材料制備的技術空白，更通過國產MOCVD設備與云南鑫耀6英寸InP襯底的協同應用，首次實現從核心裝備到關鍵材料的國產化全鏈路突破，為光電子芯片規模化量產奠定基礎。
磷化銦作為光通信、量子計算等領域的核心材料，長期受限于3英寸工藝的產能瓶頸，導致成本居高不下。九峰山實驗室的6英寸工藝將外延均勻性標準差控制在1.5%以內，PIN探測器本底濃度低于4×10¹?cm?³，遷移率突破11000cm²/V·s，性能參數對標國際頭部企業。
據業內預測，全球磷化銦光電子市場規模將在2027年達到56億美元，年復合增長率14%，而6英寸工藝的成熟有望將國產光芯片成本壓縮至3英寸工藝的60%-70%，顯著提升市場競爭力。
此次技術突破的深層意義在于產業鏈協同模式的創新。九峰山實驗室聯合云南鑫耀（云南鍺業子公司）攻克6英寸InP襯底量產難題，其單晶片產業化關鍵技術已進入最后驗證階段，預計2026年實現批量供貨。
從市場需求端看，光通信領域對高速光模塊的需求激增，疊加激光雷達、太赫茲通信等新興應用的爆發，磷化銦芯片的供需缺口持續擴大。6英寸工藝的導入將推動國產光芯片在25G及以上速率產品中的滲透率提升，預計2025年國產InP光芯片市場份額將從目前的不足15%增長至30%以上。資本市場對此反應敏銳，云南鍺業股價在消息公布當日上漲7.2%，反映市場對上游襯底材料稀缺性的重新定價。
然而，產業鏈自主可控仍面臨挑戰。全球磷化銦產能向中國轉移的趨勢下，如何平衡產能擴張與技術迭代壓力，將是企業必須應對的課題。九峰山實驗室表示，下一步將重點優化6英寸外延平臺良率，并與華為、中興等企業合作推進下游光模塊產品驗證，計劃2026年底完成商用級芯片流片。
這一突破標志著我國在第三代半導體材料領域邁出關鍵一步。從3英寸到6英寸的跨越，當國產供應鏈開始主導關鍵環節時，全球光電子產業的價值分配格局或將迎來根本性調整。
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