市場研究機構Counterpoint Research最新數據顯示，2025年第三季度，三星電子憑借存儲芯片業務的強勁表現，從SK海力士手中重新奪回全球存儲芯片市場銷售額第一的寶座。
存儲芯片的核心制造環節高度依賴有色金屬材料。在DRAM中，金屬釕（Ru）作為電容電極材料，其導電性和抗電遷移特性直接影響存儲單元的穩定性和壽命，當前釕電極材料已占據DRAM制造成本的12%-15%。NAND閃存制造則依賴銅（Cu）互連技術，7nm以下先進制程需采用銅-鉭復合結構阻擋層，銅用量占芯片金屬材料的60%以上。此外，鈷（Co）在晶體管接觸層中的應用可降低30%接觸電阻，成為5nm以下工藝的關鍵材料。
當前存儲芯片與有色金屬的關聯正從單向需求驅動轉向雙向技術賦能。隨著存算一體芯片、3D堆疊等新架構的普及，鉭（Ta）、銦（In）等稀有金屬的戰略價值將持續提升，而金屬新材料如釕、氧化鎵等的突破，或將重塑存儲芯片的技術競爭格局。
具體來看，三星電子當季存儲芯片（含DRAM、NAND閃存及其他存儲產品）總銷售額達194億美元，環比增長25%，顯著超越SK海力士同期175億美元的銷售額（同比增長13%）。
Counterpoint分析師指出，三星的復蘇主要得益于兩大核心動力：其一，高帶寬存儲器（HBM）等新一代存儲產品在AI算力需求爆發下供不應求，貢獻了季度營收的35%增量；其二，NAND閃存業務通過3D堆疊技術升級，成本下降12%，市場份額提升至38%（環比增4個百分點）。
對于后市，Counterpoint預測，三星電子有望在2026年實現全面復蘇，HBM3E/HBM4等先進產品的規模化量產將進一步鞏固其技術領先地位。同時，若第四季度存儲芯片需求延續“AI+消費電子”雙輪驅動態勢，三星或將連續兩個季度保持全球第一位置。
SK海力士雖暫居次席，但其175億美元的銷售額仍創歷史同期新高，主要受益于服務器DRAM訂單回暖及移動端NAND閃存出貨量增長。業內分析認為，存儲芯片行業正從“周期底部”向“技術主導”階段過渡，頭部廠商的技術儲備與產能靈活性將成為下一階段競爭關鍵。
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